在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关
A: 杂质浓度和温度
B: 温度和禁带宽度
C: 杂质浓度和禁带宽度
D: 杂质类型和温度
A: 杂质浓度和温度
B: 温度和禁带宽度
C: 杂质浓度和禁带宽度
D: 杂质类型和温度
举一反三
- 热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它与（ ）有关 A: 杂质浓度 B: 杂质类型 C: 禁带宽度 D: 温度
- 当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积和（ ）有关 A: 杂质类型 B: 禁带宽度 C: 温度 D: 杂质浓度
- 热平衡时,半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数,它只与()有关。 A: 杂质浓度 B: 杂质类型 C: 禁带宽度
- 杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，由 （ ）决定。 A: 温度和禁带宽度 B: 温度和掺杂浓度 C: 温度、掺杂浓度和禁带宽度 D: 掺杂浓度和禁带宽度
- 热平衡时，半导体的电子空穴浓度之积为常数，该常数与下列哪些选项相关（ ） A: 杂质浓度 B: 杂质类型 C: 禁带宽度 D: 温度