在B-T实验测量MOS工艺中钠离子沾污程度时，发现当钠离子移到靠近（ ）处，对C-V特性影响最大。
A: Al
B: SiO2
C: Si
D: 以上都不对
A: Al
B: SiO2
C: Si
D: 以上都不对
举一反三
- 在肌肉细胞的终池内储存的是： A: 钙离子 B: 钾离子 C: 钠离子 D: 以上都不对
- 钾离子通道允许()。 A: 钾离子通过，钠离子、钙离子不通过 B: 钾离子、钠离子通过，钙离子不通过 C: 钾离子、钙离子通过，钠离子不通过 D: 钾离子、钠离子、钙离子通过 E: 钾离子、钠离子、钙离子均无法通过
- 细胞膜在静息情况下，对哪种离子通透性最大： A: 钠离子 B: 钾离子 C: 钙离子 D: 氯离子
- EPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的() A: 钾离子、钠离子,尤其是钾离子 B: 钾离子、钠离子,尤其是钠离子 C: 钾离子、钠离子、氯离子,尤其是氯离子 D: 钙离子,钾离子,Cl-,尤其是钾离子
- EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性：（） A: 钠离子、钾离子、氯离子，尤其是钠离子； B: 钙离子和钾离子； C: 钠离子、钾离子、氯离子，尤其是钾离子； D: 钠离子、钾离子、氯离子，尤其是氯离子