禁带宽度越大的半导体，反向电流密度变化越小。（ ）
错
举一反三
内容
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对于直接带隙半导体，禁带宽度越小，直接复合几率越大。 A: 正确 B: 错误
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关于pn结的热电击穿，下列说法正确的是： A: 反向偏压增大时，反向电流损耗的功率也会增大，从而产生大量的热能。 B: 反向饱和电流密度随温度线性规律上升。 C: 禁带宽度较大的半导体，更容易发生热电击穿。 D: 反向电流密度的增大，对结温没有影响。
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从能级角度上看，导体就是禁带宽度很小的半导体。
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线性电容中的电流与电压的关系为（）。 A: 电压变化越快，电流越小 B: 电压变化越快，电流越大 C: 电压变化越大，电流越大 D: 电压变化越小，电流越小
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pn结正偏下总电流密度等于复合电流密度和（）密度之和。 A: 漂移电流 B: 反向饱和电流 C: 扩散电流 D: 以上均是