半导体禁带宽度越大，本征载流子浓度越小。
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举一反三
- 关于本征半导体，下列说法哪些是正确的？ A: 本征半导体的载流子浓度来源于本征激发 B: 本征半导体，电子浓度等于空穴浓度 C: 本征半导体的载流子浓度与温度无关 D: 一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小
- 中国大学MOOC: 不会影响半导体本征载流子浓度的因素是禁带宽度
- 对本征半导体，温度越( )则本征载流子浓度越高；在相同温度下，禁带宽度越窄的半导体，则本征载流子浓度越( )。 A: 低；低 B: 低；高 C: 高；低 D: 高；高
- 不会影响半导体本征载流子浓度的因素是 A: 温度 B: 杂质浓度 C: 半导体的材料种类 D: 半导体的禁带宽度
- 对于一定的半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度和本征载流子浓度（ ） A: 增加 B: 减小 C: 不变
内容
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掺杂半导体中多数载流子的浓度 A: 高于本征半导体中载流子的浓度 B: 低于本征半导体中载流子的浓度 C: 等于本征半导体中载流子的浓度 D: 无法确定
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在一定温度下，关于突变结的接触电势差，下列说法正确的是 A: p区掺杂浓度越高，接触电势差越小 B: n区掺杂浓度越高，接触电势差越小 C: 禁带宽度越大，接触电势差越小 D: 本征载流子浓度越大，接触电势差越小
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热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它与（ ）无关。 A: 温度 B: 禁带宽度 C: 杂质浓度 D: 本征载流子浓度
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杂质半导体中少数载流子的浓度()本征半导体中载流子浓度
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什么是本征半导体?本征半导体中有几种载流子?载流子的浓度主要取决于什么?