（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
举一反三
- 对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（） A: 平衡载流子浓度成正比 B: 非平衡载流子浓度成正比 C: 平衡载流子浓度成反比 D: 非平衡载流子浓度成反比
- 对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。 A: 非平衡载流子浓度成正比； B: 平衡载流子浓度成正比； C: 非平衡载流子浓度成反比； D: 平衡载流子浓度成反比。
- 影响非平衡载流子寿命的因素包括() A: 费米能级位置 B: 非平衡载流子浓度 C: 复合中心能级位置 D: 温度
- 爱因斯坦关系式是（ ）的关系式 A: 迁移率和扩散系数 B: 载流子的浓度和寿命 C: 载流子的产生和复合概率 D: 施主杂质和受主杂质的浓度
- 杂质在半导体中所起的作用不包括以下的()。 A: 提供载流子 B: 作为复合中心 C: 作为少子陷阱 D: 产生非平衡载流子