对于电离杂质散射，浓度Ni越大，越容易被散射。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
B
举一反三
内容
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对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示，其中，AB段电阻率随温度升高而下降的原因是（） A: 杂质电离和电离杂质散射 B: 本征激发和晶格散射 C: 晶格散射 D: 本征激发
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影响杂质半导体的电阻率随温度变化的因素有（） A: 杂质电离 B: 本征激发 C: 电离杂质散射 D: 晶格散射
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中国大学MOOC: 最常见的载流子散射是电离杂质散射和晶格振动散射。
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在元素半导体中不起作用的散射是（ ）。 A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 位错散射
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Si、Ge元素半导体的主要散射机构为: A: 电离杂质散射 B: 谷间散射 C: 位错散射 D: 声学波散射