• 2022-11-04
    对于电离杂质散射,浓度Ni越大,越容易被散射。
    A: 正确
    B: 错误
  • B

    内容

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      对于掺杂的硅材料,其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示,其中,AB段电阻率随温度升高而下降的原因是() A:  杂质电离和电离杂质散射 B:  本征激发和晶格散射 C:  晶格散射 D:  本征激发

    • 1

      影响杂质半导体的电阻率随温度变化的因素有() A: 杂质电离 B: 本征激发 C: 电离杂质散射 D: 晶格散射

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      中国大学MOOC: 最常见的载流子散射是电离杂质散射和晶格振动散射。

    • 3

      在元素半导体中不起作用的散射是( )。 A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 位错散射

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      Si、Ge元素半导体的主要散射机构为: A: 电离杂质散射 B: 谷间散射 C: 位错散射 D: 声学波散射