对应于电离杂质散射，温度越高，散射几率越（ ）
A: 大
B: 小
C: =
D: 不确定
A: 大
B: 小
C: =
D: 不确定
B
举一反三
内容
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影响杂质半导体的电阻率随温度变化的因素有（） A: 杂质电离 B: 本征激发 C: 电离杂质散射 D: 晶格散射
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电离杂质散射概率与温度成正比。
- 2
对于电离杂质散射，浓度Ni越大，越容易被散射。 A: 正确 B: 错误
- 3
随着温度的升高，n型半导体电导率的变化应为 A: 先增大（考虑杂质电离和电离杂质散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）； B: 先增大（考虑杂质电离和晶格振动散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）； C: 先减小（考虑晶格振动散射），后增大（考虑本征激发），再减小（考虑晶格振动散射）； D: 先增大（晶格振动散射），后减小（考虑杂质电离和电离杂质散射），再增大（考虑本征激发）；
- 4
半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（ ） A: 电离杂质散射 B: 载流子间的散射 C: 中性杂质散射 D: 晶格振动散射