N沟道的MOS场效应晶体管，随着漏源电压的增大，电子导电沟道逐渐减薄，达到饱和漏源电压时，源端出现夹断现象。
举一反三
- 假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时，导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大，夹断点移向源极侧，沟道有效长度变短。
- 假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时，导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大，夹断点移向源极侧，沟道有效长度变短。 A: 正确 B: 错误
- MOS晶体管漏源之间能够导电的前提，是存在导电沟道。如果导电沟道夹断，则无法导电，漏源电流IDS为零。
- 中国大学MOOC: MOS晶体管漏源之间能够导电的前提，是存在导电沟道。如果导电沟道夹断，则无法导电，漏源电流IDS为零。
- MOS晶体管漏源之间能够导电的前提，是存在导电沟道。如果导电沟道夹断，则无法导电，漏源电流IDS为零。 A: 正确 B: 错误