假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时，导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大，夹断点移向源极侧，沟道有效长度变短。
举一反三
- 假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时，导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大，夹断点移向源极侧，沟道有效长度变短。 A: 正确 B: 错误
- 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大
- N沟道的MOS场效应晶体管，随着漏源电压的增大，电子导电沟道逐渐减薄，达到饱和漏源电压时，源端出现夹断现象。
- N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置
- N沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置( )