VDS增大时横向电场增大，迁移率增大；VGS增大时纵向电场增大，迁移率减小，当纵向电场影响更大时，迁移率总的来说是下降的。（ ）
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
举一反三
- 中国大学MOOC: VDS增大时横向电场增大，迁移率增大；VGS增大时纵向电场增大，迁移率减小，当纵向电场影响更大时，迁移率总的来说是下降的。
- 迁移率为载流子在单位电场中的迁移速度 A: 正确 B: 错误
- 在一个半导体中，当散射概率增大时 A: 平均自由时间增大 B: 迁移率增大 C: 电阻率增大 D: 电导率增大
- 关于电子迁移率，下列说法错误的是 A: 杂质浓度较低时，多子和少子电子迁移率趋近于相同的值 B: 杂质浓度增大时，电子的多子与少子迁移率都单调下降 C: 对给定的杂质浓度，少子迁移率小于相同杂质浓度下的多子迁移率 D: 相同杂质浓度下，少子与多子迁移率的差别随着杂质浓度的增大而增大
- 中国大学MOOC: 迁移率为载流子在单位电场中的迁移速度