当MOSFET的沟道宽度很小时，阈值电压将随着沟道宽度的增加而（ ）。
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举一反三
- 当MOSFET的沟道宽度很窄时，阈值电压将随着沟道宽度的增加而（ ）。【填减小或增加】
- 当MOSFET的沟道长度很小时，阈值电压将随着沟道长度的减小而（ ），该现象叫做阈值电压的短沟道效应。 A:
- 中国大学MOOC: 当MOSFET的沟道长度很小时，阈值电压将随着沟道长度的减小而（ ），该现象叫做阈值电压的短沟道效应。
- 以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。 A: 栅氧化层厚度减小 B: 沟道长度增加 C: 沟道宽度增加 D: 阈值电压提高
- 以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。 A: 增加沟道长度 B: 减小栅氧化层厚度 C: 减小沟道宽度 D: 提高阈值电压
内容
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以N沟道增强型MOSFET为例，衬底偏置电压使阈值电压增大。
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MOSFET的阈值电压与沟道长度绝对无关
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短沟道效应会引起的变化是（ ）。 A: 沟道长度减小，阈值电压增大 B: 沟道长度减小，阈值电压减小 C: 沟道长度减小，阈值电源不变 D: 沟道长度减小，阈值电压变化不一定
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影响MOSFET阈值电压的因素有（ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道宽度 C: 衬底掺杂浓度 D: 氧化层固定电荷
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当MOS管的沟道宽度缩小到与沟道区耗尽层厚度相比拟时，MOS管的阈值电压会变大，这种现象称为（ ）