关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-30 N沟道场效应管的电流ID是由沟道中（）在漏源极之间电场作用下运动形成的。 A: 电子 B: 空穴 C: 电子和空穴 N沟道场效应管的电流ID是由沟道中（）在漏源极之间电场作用下运动形成的。A: 电子B: 空穴C: 电子和空穴 答案： 查看 举一反三 N 沟道 MOSFET涉及到______的漂移作用，形成漏极电流。 A: 电子 B: 空穴 C: 电子和空穴 D: 离子 N沟道MOSFET涉及到（）的漂移作用，形成漏极电流。 A: 电子 B: 空穴 C: 电子和空穴 D: 正负离子 N沟道MOSFET的漏极电流是由载流子的漂移运动生成的，这种载流子是（ ）。 A: 电子和空穴 B: 空穴 C: 电子 D: 离子 N沟道场效应管导电的载流子是__________ A: 电子 B: 空穴 C: 电子和空穴 N沟道场效应管中，是哪些载流子参与导电? A: 电子 B: 空穴 C: 电子和空穴
