N沟道MOSFET涉及到（）的漂移作用，形成漏极电流。
A: 电子
B: 空穴
C: 电子和空穴
D: 正负离子
A: 电子
B: 空穴
C: 电子和空穴
D: 正负离子
举一反三
- N 沟道 MOSFET涉及到______的漂移作用，形成漏极电流。 A: 电子 B: 空穴 C: 电子和空穴 D: 离子
- N沟道MOSFET的漏极电流是由载流子的漂移运动生成的，这种载流子是（ ）。 A: 电子和空穴 B: 空穴 C: 电子 D: 离子
- N沟道场效应管的电流ID是由沟道中（）在漏源极之间电场作用下运动形成的。 A: 电子 B: 空穴 C: 电子和空穴
- 中国大学MOOC: N 沟道 MOSFET涉及到（ ）的漂移作用，形成漏极电流。
- 对n沟增强型MOSFET而言，源极接地，半导体表面达到强反型后，___在沟道中______进行输运。（ ） A: 空穴，由源端到漏端 B: 空穴，由漏端到源端 C: 电子，由源端到漏端 D: 电子，由漏端到源端