中国大学MOOC: Si-SiO2界面态都是由悬挂键及晶格失配所引起的。（）
错
举一反三
- Si-SiO2界面态都是由悬挂键及晶格失配所引起的。（）
- Si-SiO2界面态都是由悬挂键及晶格失配所引起的。（） A: 正确 B: 错误
- 施主型界面态主要是由引起的，受主型界面态主要是由引起的（）。 A: 悬挂键，晶格失配 B: 悬挂键及晶格失配，杂质 C: 杂质及悬挂键，晶格失配 D: 杂质，悬挂键及晶格失配
- 施主型界面态主要是由 引起的，受主型界面态主要是由 引起的（）。 A: 悬挂键，晶格失配 B: 悬挂键及晶格失配，杂质 C: 杂质及悬挂键，晶格失配 D: 杂质，悬挂键及晶格失配
- 由于晶格失配的存在,在异质结界面处会出现未配对的悬挂键,从而引起晶格缺陷,产生应变、位错。(<br/>)
内容
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在异质结界面处出现的悬挂键会引起界面态,界面态的密度依赖于晶格常数的差别和界面的晶体取向。(<br/>)
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中国大学MOOC: 会起到复合中心作用的是Si-SiO2界面态位于（ ）。
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即使两种材料的晶格常数在室温下是相同的,由于热膨胀系数不同,在高温下,也将发生晶格失配,从而产生悬挂键,在交界面处引入界面态。(<br/>)
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中国大学MOOC: 以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是（ ）。
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中国大学MOOC: 热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质 引起的。（两个字）