N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: vGS 大于VTN ,并且vDS <vGS-VTN B: vGS 大于VTN ,并且vDS >vGS-VTN C: vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN D: vGS 小于VTN ,并且vDS <vGS-VTN

中国大学MOOC: 对图中所示电路，假设VDD=5V ，VTN=2V, VTP=−2V。下列描述正确的有（）。

该场效应管的开启（夹断）电压可表示为______。[img=135x163]18030de7d229f5d.png[/img] A: VTN=6V B: VPN=6V C: VTP=6V D: VPP=6V

电路如图，已知：VDD=30V，Rg1=Rg2=1.2MΩ，Rd=10kΩ，VTN=3V，Kn=0.2mA/V2，IRd>>IRg1，不考虑沟道调制效应，求解静态值VDSQ= V。 [img=230x221]18030e049aa2eb4.png[/img]

电路如图所示。设电流源电流I＝1mA、VDD＝VSS＝10V，场效应管的VTN＝0.8V，Kn＝1mA/V2，l=0。若想使VDSQ=6V，那么Rd≈（）。【图片】 A: 5.8kΩ B: 11.8kΩ C: 8kΩ D: 4kΩ E: 10kΩ

增强型NMOS管的栅源电压为VGS=2V，漏源电压为VDS=1.5V，阈值电压为VTN=1V，则NMOS管工作在。 A: 非饱和区 B: 截止区 C: 饱和区 D: 线性区

电路如图所示。设电流源电流I＝1mA、VDD＝VSS＝10V，场效应管的VTN＝0.8V，Kn＝1mA/V2，l = 0。若想使VDSQ =6V，那么Rd≈（ ）。[img=485x439]1802ebb12ee6f9a.png[/img] A: 5.8kΩ B: 11.8kΩ C: 8kΩ D: 4kΩ E: 10kΩ

电流源电路如图所示，VDD = VSS =5V，T1～T3的VTN = 2V，l = 0，而Kn1 = Kn3 = 0.25 [img=45x17]17de764eeaf8a32.jpg[/img]，则IREF = mA和IO = mA。[img=189x237]17de764effa58b4.jpg[/img] A: 2.25，0.9 B: 22.5，0.9 C: 1，0.1 D: 5，0.2

电路如图，已知：VDD=10V，Rg1=60kΩ，Rg2=20kΩ，Rd=5kΩ，RL=5kΩ，VTN=1.5V，Kn=0.8mA/V2, 不考虑沟道调制效应，图中各电容足够大，计算此放大电路的输入电阻Ri= kΩ。[img=278x252]18030de49f826e1.png[/img]

如图所示放大器，MOSFET的参数为：λ=0、VTN=1V、Kn=1mA/V2,电流源I=1mA。电路参数为VDD=5V,VSS=5V，Rd=4kΩ，RL=2kΩ，所有电容对交流信号可视为短路。放大器的输出电阻Ro为（）。[img=422x141]17a3d9f4ec0f416.png[/img]