对于非均匀掺杂的半导体，本征费米能级和费米能级是互相平行的。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
B
举一反三
- 室温下,对于某n型半导体,其费米能级在其本征半导体的费米能级之下
- 对于某n型半导体,试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上,即。
- 热平衡条件下，已知有两块材料相同的半导体A和B，两块半导体中的费米能级都在导带底和本征费米能级之间，其中A半导体的费米能级比B半导体的费米能级距离本征费米能级近。问哪个半导体的电子密度高。 A: A半导体 B: B半导体
- 下列关于费米能级的说法错误的是（ ）。 A: 费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大 B: 本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近 C: N型半导体的费米能级比较靠近价带顶 D: N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
- 关于费米能级，下列说法正确的有（） A: 半导体费米能级位置会随温度的变化而变化 B: 费米能级的位置标志着半导体中电子填充能级的水平 C: 半导体费米能级位置与掺杂浓度紧密相关 D: 掺杂浓度越高，半导费米能级的位置越高
内容
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对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级随温度的上升而 A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近本征费米能级 D: 经过一极大值趋近本征费米能级
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说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
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对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为: A: 费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动 B: 费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动 C: 费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动 D: 费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
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关于费米能级,正确的说法是( ) A: 处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级 B: 费米能级是物质的固有属性,与环境温度无关 C: P型半导体的费米能级靠近导带底部 D: 本征半导体的费米能级位于禁带中心
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费米电势与和有关,其值取决于本征费米能级和费米能级之差。