中国大学MOOC: p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。
举一反三
- p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。（ ） A: 正确 B: 错误
- 假设漏极电流的参考方向均为流入漏极，下图三种特性曲线，分别属于哪一种场效应管______。[img=470x168]18030dde7a220cc.png[/img] A: N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道结型 B: N沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道结型 C: P沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道结型 D: P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道结型
- 图中场效应管为（） A: 增强型N沟道 B: 增强型P沟道 C: 耗尽型N沟道 D: 耗尽型P沟道
- 功率场效应晶体管一般是（）。 A: N沟道耗尽型 B: N沟道增强型 C: P沟道增强型 D: P沟道耗尽型
- 下图中的三种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（）。[img=837x179]17de6587a759474.png[/img] A: P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET B: P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道 C: N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET D: N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET； N沟道结型