N沟道MOSFET,当栅极电压大于阈值电压时,可以观察到nMOS管工作的三个工作区为、、。
举一反三
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 B: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压小于零时漏源极之间存在导电沟道。 C: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压大于零时漏源极之间存在导电沟道。
- 当N沟道增强型MOSFET的栅源电压大于开启电压，栅漏电压小于开启电压时，管子工作在（ ）区。 A: 可变电阻 B: 截止区 C: 恒流区（饱和区） D: 不能确定
- 中国大学MOOC: 某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（ ）。
- 以N沟道增强型MOSFET为例，衬底偏置电压使阈值电压增大。