当温度升高时，电离杂质散射的概率，以及降低时晶格振动声子 的散射概率的变化分别是（ ）
A: 变大，变小
B: 变小，变大
C: 变小，变小
D: 变大，变大
A: 变大，变小
B: 变小，变大
C: 变小，变小
D: 变大，变大
C
举一反三
- 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大
- 半导体中的载流子在输运过程中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（ ） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大
- 如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。 A: 变大，变大 B: 变小，变小 C: 变小，变大 D: 变大，变小
- 如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（ ）。 A: 变大，变大 B: 变大，变小 C: 变小，变大 D: 变小，变小
- 2. 半导体中的载流子在运输过程中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（ ）。A. 变大，变小 B. 变小，变大 C. 变小，变小 D. 变大，变大 A: A B: B C: C D: D
内容
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杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，晶格振动散射概率和对应的迁移率分别是（ ） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大
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杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，晶格振动声子的散射概率 ( ) A: 变小 B: 变大 C: 不变 D: 不确定
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随着温度的升高，杂质半导体的电阻率将 A: 变小-变大 B: 变大-变小 C: 变小-变大-变小 D: 变大-变小-变大
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当温度升高时，二极管的正向压降_，反向击穿电压。 A: 变小、变小 B: 变大、变大 C: 变小、变大 D: 变大、变小
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温度升高时，三极管的额电流放大倍数β将________，穿透电流ICEO将________，发射结电压UBE将________。 A: 变小 变大 变小 B: 变大 变大 变小 C: 变大 变小 变大