如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（ ）。
A: 变大，变大
B: 变大，变小
C: 变小，变大
D: 变小，变小
A: 变大，变大
B: 变大，变小
C: 变小，变大
D: 变小，变小
C
举一反三
- 如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（ ）。 A: 变大，变大 B: 变大，变小 C: 变小，变大 D: 变小，变小
- 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大
- 半导体中的载流子在输运过程中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（ ） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大
- 当温度升高时，电离杂质散射的概率，以及降低时晶格振动声子 的散射概率的变化分别是（ ） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大
- 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，晶格振动散射概率和对应的迁移率分别是（ ） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大
内容
- 0
2. 半导体中的载流子在运输过程中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（ ）。A. 变大，变小 B. 变小，变大 C. 变小，变小 D. 变大，变大 A: A B: B C: C D: D
- 1
随着温度的升高，杂质半导体的电阻率将 A: 变小-变大 B: 变大-变小 C: 变小-变大-变小 D: 变大-变小-变大
- 2
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，晶格振动声子的散射概率 ( ) A: 变小 B: 变大 C: 不变 D: 不确定
- 3
当温度升高时，二极管的正向压降_，反向击穿电压。 A: 变小、变小 B: 变大、变大 C: 变小、变大 D: 变大、变小
- 4
若细胞失水、体积变小,则ψs________、ψp_________、ψw___________。(): 变大、变大、变大|变小、变大、变大|变小、变大、变小|变小、变小、变小