对于Al栅管，【图片】大，击穿电压大；对于Si栅自对准管，【图片】大，击穿电压大。
举一反三
- 对于Al栅管，[img=29x22]18036f7dfac90e1.png[/img]大，击穿电压大；对于Si栅自对准管，[img=27x22]18036f7e035a8e9.png[/img]大，击穿电压大。
- 对于Al栅管，___大，击穿电压大；对于Si栅自对准管，___大，击穿电压大（ ）。 A: VGS，VDS B: VDS，VGS C: VGS，IDS D: IGS，VDS
- MOS管的栅源击穿电压一般比较小，因为栅氧化层厚度较小 A: 正确 B: 错误
- 关于PN结的反向击穿特性，以下说法正确的有 A: 一般希望PN结的击穿电压尽可能的大一些 B: 雪崩击穿电压一般比隧道击穿电压大一些 C: 隧道击穿比较常见 D: 一旦击穿，PN结就损毁了
- （ ）最大反向工作电压是指加在晶体二极管两端的反向电压大到一定值时,会将晶体极管击穿,失去单向导电能力。