对于Al栅管，___大，击穿电压大；对于Si栅自对准管，___大，击穿电压大（ ）。
A: VGS，VDS
B: VDS，VGS
C: VGS，IDS
D: IGS，VDS
A: VGS，VDS
B: VDS，VGS
C: VGS，IDS
D: IGS，VDS
举一反三
- 对于Al栅管，【图片】大，击穿电压大；对于Si栅自对准管，【图片】大，击穿电压大。
- 对于Al栅管，[img=29x22]18036f7dfac90e1.png[/img]大，击穿电压大；对于Si栅自对准管，[img=27x22]18036f7e035a8e9.png[/img]大，击穿电压大。
- P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- P沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS可正、可负、可为零,vDS为负; B: vGS可正、可负、可为零,vDS为正; C: vGS为正,vDS可正、可负、可为零; D: vGS为负,vDS可正、可负、可为零。