对于Al栅管，___大，击穿电压大；对于Si栅自对准管，___大，击穿电压大（ ）。
A: VGS，VDS
B: VDS，VGS
C: VGS，IDS
D: IGS，VDS
A: VGS，VDS
B: VDS，VGS
C: VGS，IDS
D: IGS，VDS
C
举一反三
- 对于Al栅管，【图片】大，击穿电压大；对于Si栅自对准管，【图片】大，击穿电压大。
- 对于Al栅管，[img=29x22]18036f7dfac90e1.png[/img]大，击穿电压大；对于Si栅自对准管，[img=27x22]18036f7e035a8e9.png[/img]大，击穿电压大。
- P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- P沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS可正、可负、可为零,vDS为负; B: vGS可正、可负、可为零,vDS为正; C: vGS为正,vDS可正、可负、可为零; D: vGS为负,vDS可正、可负、可为零。
内容
- 0
N沟道结型场效应管工作在线性放大区时， （ ） A: VGS为正电压，VDS为正电压 B: VGS为正电压，VDS为负电压 C: VGS为负电压，VDS为正电压 D: VGS为负电压，VDS为负电压
- 1
对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大
- 2
P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是( )。 A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDS C: VGSVGS-VGS(th) D: VGS
- 3
N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: vGS 大于VTN ,并且vDS <vGS-VTN B: vGS 大于VTN ,并且vDS >vGS-VTN C: vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN D: vGS 小于VTN ,并且vDS <vGS-VTN
- 4
中国大学MOOC: 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。