关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-30 N沟道MOSFET的漏极电流是由载流子的漂移运动生成的，这种载流子是（ ）。 N沟道MOSFET的漏极电流是由载流子的漂移运动生成的，这种载流子是（ ）。 答案： 查看 举一反三 N沟道MOSFET的漏极电流是由载流子的漂移运动生成的，这种载流子是（ ）。 A: 电子和空穴 B: 空穴 C: 电子 D: 离子 场效应管的漏极电流是由载流子的漂移运动形成，这种载流子是（ ）。 39、在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是主要由于沟道夹断，而在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是主要由于载流子漂移速度饱和。 N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成 中国大学MOOC: N 沟道 MOSFET涉及到（ ）的漂移作用，形成漏极电流。
