39、在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是主要由于沟道夹断，而在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是主要由于载流子漂移速度饱和。
错误
举一反三
- 在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
- 短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象：（ ）。 A: 饱和漏源电压正比于沟道长度 L B: 阈值电压随L 的缩短而减小 C: 饱和漏极电流与沟道长度L无关 D: 跨导与沟道长度 L 不再有关
- MOSFET发生速度饱和之后，以下哪些物理量将与沟道长度不相关：（ ）。 A: 饱和漏源电压 B: 跨导 C: 饱和漏极电流 D: 最高工作频率
- N沟道MOSFET的漏极电流是由载流子的漂移运动生成的，这种载流子是（ ）。
- 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大
内容
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N沟道MOSFET中,VGS越大,则沟道中的电子就越(),沟道电阻就越(),漏极电流就越()。
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中国大学MOOC: N 沟道 MOSFET涉及到（ ）的漂移作用，形成漏极电流。
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智慧职教: MOSFET工作时，一旦沟道出现夹断现象，漏极电流就变为零。
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中国大学MOOC: 短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象：（ ）。
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以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。 A: 栅氧化层厚度减小 B: 沟道长度增加 C: 沟道宽度增加 D: 阈值电压提高