通过热扩散对硅进行掺杂的过程中，何种方法将导致掺杂深度的增加（ ）
A: 缩短热扩散时间
B: 提高热扩散温度
C: 增大扩散源浓度
D: 增加硅表面钝化层厚度
A: 缩短热扩散时间
B: 提高热扩散温度
C: 增大扩散源浓度
D: 增加硅表面钝化层厚度
举一反三
- 分子扩散主要包括以下： A: 浓度差扩散 B: 压力梯度扩散 C: 湍流扩散 D: 热扩散
- 事实上，储油容器中，气体空间任何时刻的浓度分布状况都是相际传质及上述三种气相传质共同作用的结果。 一般情况下，传质强度为？ A: 分子扩散>热扩散>强迫对流 B: 强迫对流>分子扩散>热扩散 C: 强迫对流>热扩散>分子扩散 D: 分子扩散>强迫对流>热扩散
- 热扩散工艺中扩散结深通常采用（）和（）两种方法进行测量。
- 以下几种掺杂方法中， 的横向扩散比较小，适合于浅结的制作。 A: 合金法 B: 生长法 C: 热扩散 D: 离子注入
- .以下几种掺杂方法中,横向扩散比较小,适合于浅结的制作。 A: 合金法 B: 生长法 C: 热扩散法 D: 离子注入法