.以下几种掺杂方法中,横向扩散比较小,适合于浅结的制作。
A: 合金法
B: 生长法
C: 热扩散法
D: 离子注入法
A: 合金法
B: 生长法
C: 热扩散法
D: 离子注入法
举一反三
- 以下几种掺杂方法中， 的横向扩散比较小，适合于浅结的制作。 A: 合金法 B: 生长法 C: 热扩散 D: 离子注入
- 形成PN结的方法一般有() A: 合金法 B: 扩散法 C: 离子注入法
- 热扩散方法适合做深结，离子注入法适合做浅结。
- ⑫ 关于离子注入法和热扩散发法掺杂说法错误的是： A: 、导电型杂质掺杂用离子注入法，而热扩散法没有这样要求 B: 、离子注入法会造成晶体物理损伤，热扩散法不会 C: 、离子注入法主要控制电压高低和硅片的移动，热扩散法主要控制扩散的时间和杂质气体的压力 D: 、热扩散法要比离子注入法掺杂控制得更精确
- 下列哪种工艺方法可以形成超浅结： A: 低能离子注入 B: 低温扩散 C: 隔着氧化层注入 D: 分子注入法