简述常规热氧化办法制备SiO
迪尔-格罗夫氧化模型可以很好地预测氧化层厚度，热氧化过程主要分为以下三个过程：（1）氧化剂从气体内部以扩散形式穿过滞留层运动到气体-SiO2界面，其流密度用J1表示。（2）氧化剂以扩散方式穿过SiO2层，到达SiO2-Si界面，其流密度用J2表示。（3）氧化剂在Si表面与Si反应生成SiO2，流密度用J3表示。 当氧化剂在SiO2中的扩散系数DSiO2很小时（D<2层运动到SiO2-Si界面处的数量极少，与Si立即发生反应生SiO2，在界面处没有氧化剂的堆积，浓度趋于零。因扩散速度太慢，而大量氧化剂堆积在SiO2的表面处，浓度趋向于同气相平衡时的浓度C。此时，SiO2的生长速率主要由氧化剂在SiO2中的扩散速度决定，称为扩散控制。如果扩散系数DSiO2很大，Ci=C0=HPg/（1+ks/h）。此时，进入SiO2中的氧化剂快速扩散到SiO2-Si界面处，在界面处氧化剂与Si反应生成SiO2的速率很慢，造成氧化剂在界面处堆积，趋向于SiO2表面处的浓度。此时，SiO2生长速率由Si表面的化学反应速率控制，称为反应控制。
举一反三
内容
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简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。
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热氧化速率快慢排序： 氧化最快、 氧化次之、 氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）
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集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是： 。 A: 干氧氧化 B: 湿氧氧化 C: 离子氧化 D: 水蒸汽氧化
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热氧化工艺本质上是在硅与二氧化硅 发生的硅的氧化反应。
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影响热氧化速率的因素有 A: 温度 B: 氧化方式 C: 压力 D: 掺杂