关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入!公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入!公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入! 2022-10-27 以下几项中,热氧化生长速率影响因素中最大的是: A: 温度 B: 压力 C: 掺杂 D: 晶向 以下几项中,热氧化生长速率影响因素中最大的是:A: 温度B: 压力C: 掺杂D: 晶向 答案: 查看 举一反三 影响热氧化速率中,哪种因素是最重要的? A: 温度 B: 压力 C: 晶向 D: 掺杂 影响热氧化速率的因素有 A: 温度 B: 氧化方式 C: 压力 D: 掺杂 集成电路制造工艺中,以下对氧化速率没有影响的因素是: 。 A: 温度 B: 厚度 C: 硅晶向 D: 掺杂 题3-3-5集成电路制造工艺中,以下对氧化速率没有影响的因素是:。 A: 温度 B: 厚度 C: 硅晶向 D: 掺杂 影响热氧化速率中,晶向是最重要的。