集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是： 。
A: 温度
B: 厚度
C: 硅晶向
D: 掺杂
A: 温度
B: 厚度
C: 硅晶向
D: 掺杂
举一反三
- 题3-3-5集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是：。 A: 温度 B: 厚度 C: 硅晶向 D: 掺杂
- 以下几项中,热氧化生长速率影响因素中最大的是: A: 温度 B: 压力 C: 掺杂 D: 晶向
- 影响热氧化速率中，哪种因素是最重要的? A: 温度 B: 压力 C: 晶向 D: 掺杂
- 在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（） A: 集成电路制造（晶圆加工） B: 集成电路封装 C: 集成电路测试 D: 集成电路设计
- 下面是与硅热氧化速率有关的论述，哪种论述正确： A: 因为水汽在硅氧化层中的溶解度（也就是平衡浓度）远大于氧气，所以水汽的氧化速率比干氧氧化快得多 B: 温度对抛物线氧化速率影响大，对线性氧化速率影响小 C: 在氧化层很薄时增加氧气分压，比在氧化层较厚时增加氧气分压，对提高氧化速率的影响更大 D: 氧化层较厚时，可以忽略硅晶向对热氧化速率的影响