二氧化硅热氧化有多种方式，下面关于氧化方式对生长速率影响的说法正确的是（）。
A: 湿氧氧化速率>水汽氧化速率>干氧氧化速率
B: 水汽氧化速率>干氧氧化速率>湿氧氧化速率
C: 干氧氧化速率>水汽氧化速率>湿氧氧化速率
D: 水汽氧化速率>湿氧氧化速率>干氧氧化速率
A: 湿氧氧化速率>水汽氧化速率>干氧氧化速率
B: 水汽氧化速率>干氧氧化速率>湿氧氧化速率
C: 干氧氧化速率>水汽氧化速率>湿氧氧化速率
D: 水汽氧化速率>湿氧氧化速率>干氧氧化速率
D
举一反三
- 二氧化硅热氧化有多种方式，下面关于氧化方式对生长速率影响的说法正确的是（）。 A: 湿氧氧化速率>水汽氧化速率>干氧氧化速率 B: 水汽氧化速率>干氧氧化速率>湿氧氧化速率 C: 干氧氧化速率>水汽氧化速率>湿氧氧化速率 D: 水汽氧化速率>湿氧氧化速率>干氧氧化速率
- 下面氧化方式中（）氧化方式的氧化速率最快。 A: 干氧氧化 B: 湿氧氧化 C: 低压氧化 D: 水汽氧化
- 根据氧化剂的不同，热氧化可以分为三种，其中氧化速率最高的是：__________。 A: 干氧氧化 B: 湿氧氧化 C: 水汽氧化 D: 掺氯氧化
- 下面是与硅热氧化速率有关的论述，哪种论述正确： A: 因为水汽在硅氧化层中的溶解度（也就是平衡浓度）远大于氧气，所以水汽的氧化速率比干氧氧化快得多 B: 温度对抛物线氧化速率影响大，对线性氧化速率影响小 C: 在氧化层很薄时增加氧气分压，比在氧化层较厚时增加氧气分压，对提高氧化速率的影响更大 D: 氧化层较厚时，可以忽略硅晶向对热氧化速率的影响
- 几种氧化方式中,得到的氧化膜质量较差,速度却最快的是: A: 干氧氧化 B: 水汽氧化 C: 湿氧氧化 D: 氢氧合成氧化
内容
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根据氧化剂的不同，热氧化可分为（ ）。 A: 干氧氧化 B: 水汽氧化 C: 湿氧氧化 D: 掺氯氧化
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热氧化速率快慢排序： 氧化最快、 氧化次之、 氧化最慢。 A:
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脂肪的光敏氧化速率与自动氧化速率相当（ ）
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关于氧化速率下面哪种描述是正确的： A: 有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低 B: 温度升高氧化速率迅速增加 C: （111）硅比（100）硅氧化得快 D: 生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
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关于氧化速率下面哪种描述是正确的： A: 生长十几nm厚的栅氧化层时，服从线性氧化速率； B: 温度升高氧化速率迅速增加； C: （111）硅比（100）硅氧化得快； D: 有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低。