下面是与硅热氧化速率有关的论述，哪种论述正确：
A: 因为水汽在硅氧化层中的溶解度（也就是平衡浓度）远大于氧气，所以水汽的氧化速率比干氧氧化快得多
B: 温度对抛物线氧化速率影响大，对线性氧化速率影响小
C: 在氧化层很薄时增加氧气分压，比在氧化层较厚时增加氧气分压，对提高氧化速率的影响更大
D: 氧化层较厚时，可以忽略硅晶向对热氧化速率的影响
A: 因为水汽在硅氧化层中的溶解度（也就是平衡浓度）远大于氧气，所以水汽的氧化速率比干氧氧化快得多
B: 温度对抛物线氧化速率影响大，对线性氧化速率影响小
C: 在氧化层很薄时增加氧气分压，比在氧化层较厚时增加氧气分压，对提高氧化速率的影响更大
D: 氧化层较厚时，可以忽略硅晶向对热氧化速率的影响
举一反三
- 关于氧化速率下面哪种描述是正确的： A: 有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低 B: 温度升高氧化速率迅速增加 C: （111）硅比（100）硅氧化得快 D: 生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
- 关于氧化速率下面哪种描述是正确的： A: 生长十几nm厚的栅氧化层时，服从线性氧化速率； B: 温度升高氧化速率迅速增加； C: （111）硅比（100）硅氧化得快； D: 有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低。
- 关于硅的热氧化，下面哪种说法正确： A: 湿氧比干氧慢得多； B: 水汽氧化层比干氧氧化层致密； C: 氧化反应是在Si/SiO2界面发生的； D: 升高氧气（或水汽）分压不影响生长速率。
- 氧化速率随着氧化层厚度的增加（氧化时间的增加）而下降。
- 热氧化速率快慢排序： 氧化最快、 氧化次之、 氧化最慢。 A: