一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度，这是因为载流子浓度主要来源于（），而将（）忽略不计。
A: 杂质电离，木征激发
B: 木征激发，杂质电离
C: 施主电离，木征激发
D: 木征激发，受主电离
A: 杂质电离，木征激发
B: 木征激发，杂质电离
C: 施主电离，木征激发
D: 木征激发，受主电离
举一反三
- 一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度,这是因为载流子浓度主要来源于_________,而将_________忽略不计。( ) A: 杂质电离,本征激发 B: 本征激发,杂质电离 C: 施主电离,本征激发 D: 本征激发,受主电离
- n型半导体低温弱电离时，导带中的电子主要由谁提供 A: 施主杂质电离 B: 本征激发 C: 施主杂质电离和本征激发 D: 二者都不提供
- 影响杂质半导体的电阻率随温度变化的因素有（） A: 杂质电离 B: 本征激发 C: 电离杂质散射 D: 晶格散射
- 随着温度的升高，n型半导体电导率的变化应为 A: 先增大（考虑杂质电离和电离杂质散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）； B: 先增大（考虑杂质电离和晶格振动散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）； C: 先减小（考虑晶格振动散射），后增大（考虑本征激发），再减小（考虑晶格振动散射）； D: 先增大（晶格振动散射），后减小（考虑杂质电离和电离杂质散射），再增大（考虑本征激发）；
- 电子直接从价带跃迁到导带的过程称为（）。 A: 本征激发 B: 施主电离 C: 受主电离 D: 载流子复合