STI的工艺过程:1,淀积氮化硅层2,淀积一层电氧层3,用应掩膜刻蚀浅槽,离子注入4,光刻定义需要隔离的区域5,热氧化的方法在槽底部生长一层薄热氧化层6,用CVD方法淀积比较厚的介质,淀积之后用CMP方法去除多余介质,用氮化硅一层作为CMP截止层,用湿法将氮化硅去掉 A: 1-2-3-4-5-6 B: 2-1-4-3-5-6 C: 1-2-4-3-5-6 D: 2-1-3-4-5-6

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2022-10-27

STI的工艺过程:1,淀积氮化硅层2,淀积一层电氧层3,用应掩膜刻蚀浅槽,离子注入4,光刻定义需要隔离的区域5,热氧化的方法在槽底部生长一层薄热氧化层6,用CVD方法淀积比较厚的介质,淀积之后用CMP方法去除多余介质,用氮化硅一层作为CMP截止层,用湿法将氮化硅去掉 A: 1-2-3-4-5-6 B: 2-1-4-3-5-6 C: 1-2-4-3-5-6 D: 2-1-3-4-5-6

STI的工艺过程:1,淀积氮化硅层2,淀积一层电氧层3,用应掩膜刻蚀浅槽,离子注入4,光刻定义需要隔离的区域5,热氧化的方法在槽底部生长一层薄热氧化层6,用CVD方法淀积比较厚的介质,淀积之后用CMP方法去除多余介质,用氮化硅一层作为CMP截止层,用湿法将氮化硅去掉
A: 1-2-3-4-5-6
B: 2-1-4-3-5-6
C: 1-2-4-3-5-6
D: 2-1-3-4-5-6

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