光刻技术中的曝光方式主要包括下面哪几种？（）。 A: 压印式光刻 B: 投影式光刻 C: 接近式光刻 D: 接触式光刻
光刻技术中的曝光方式主要包括下面哪几种？（）。 A: 压印式光刻 B: 投影式光刻 C: 接近式光刻 D: 接触式光刻
光刻技术中的曝光方式主要包括下面哪三种？（） A: 接触式光刻 B: 接近式光刻 C: 投影式光刻 D: 压印式光刻
光刻技术中的曝光方式主要包括下面哪三种？（） A: 接触式光刻 B: 接近式光刻 C: 投影式光刻 D: 压印式光刻
简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。
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后光刻时代有那些光刻新技术？
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什么是负性光刻？正性光刻？
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MEMS光刻与IC光刻的主要区别在于()。 A: MEMS光刻需要在更为不平整的表面上进行 B: MEMS光刻的线条更细 C: MEMS光刻都需要双面进行
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中国大学MOOC: 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（ ）。
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什么是光刻，光刻系统的主要指标有那些？
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什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？
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浸入式光刻技术可以提高光刻的分辨率。
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