根据目标层的图案成型方式，刻蚀可以分为______ 和______ 两类，其中前者利用气体与等离子体与衬底发生反应来形成，而后者主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生反应进行刻蚀。（选填干法/湿法）
举一反三
- 中国大学MOOC: 刻蚀的方法有两类：湿法刻蚀和干法刻蚀，其中，（）是利用液体化学试剂以化学形式除去硅片表面材料。而（）是利用等离子体辅助来进行刻蚀的技术，刻蚀反应中不涉及液体。
- （）的刻蚀方法是以等离子体辅助来进行薄膜刻蚀的一种技术。 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 化学刻蚀 D: 物理刻蚀
- （）刻蚀方法是利用具有一定能量的离子轰击材料表面，使材料原子发生溅射，从而达到刻蚀目的。 A: 等离子体刻蚀 B: 化学刻蚀 C: 离子束刻蚀 D: 电子束刻蚀
- 下面（）刻蚀方法是利用具有一定能量的离子轰击材料表面，使材料原子发生溅射，从而达到刻蚀目的。 A: 化学刻蚀 B: 电子束刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 离子束刻蚀
- 刻蚀根据是否采用化学溶液分为 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 溅射刻蚀