关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-28 P型硅作为MOS器件的衬底，当金属电极上施加正偏压，形成的势阱能吸引带正电的多数载流子空穴。 P型硅作为MOS器件的衬底，当金属电极上施加正偏压，形成的势阱能吸引带正电的多数载流子空穴。 答案： 查看 举一反三 P型硅作为MOS器件的衬底，当金属电极上施加正偏压，形成的势阱能吸引带正电的多数载流子空穴。 A: 正确 B: 错误 P型半导体的多数载流子是空穴，因此带正电。（) P型半导体的多数载流子是空穴，因此带正电。（) P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电 N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加 偏压时，半导体表面附近会形成一层 层。 A: 正，电子积累 B: 负，电子积累 C: 正，空穴反型层 D: 正，电子反型层
