N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加 偏压时，半导体表面附近会形成一层 层。
A: 正，电子积累
B: 负，电子积累
C: 正，空穴反型层
D: 正，电子反型层
A: 正，电子积累
B: 负，电子积累
C: 正，空穴反型层
D: 正，电子反型层
举一反三
- 若是N型Si衬底的MOS结构，当其栅极施加正偏压时，半导体表面附近会形成一层电子积累层。
- 在MIS结构中,当电场垂直金属层指向半导体层时,下列描述中错误的是( ) A: 对于N型半导体,在表面层形成电子的积累层。 B: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的积累层。 C: 对于P型半导体,在表面层可能形成由电子组成的反型层。 D: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的耗尽层。
- 以n型半导体MIS结构为例，当在栅极上加上负电压时，随着电压的加大，吸引到半导体表面的（）浓度迅速增加，形成反型层。 A: 电子 B: 电离施主 C: 空穴 D: 电离受主
- p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是 的，为 （ ）。 A: 正，电离施主杂质 B: 正，电离施主杂质和空穴 C: 负，电离受主杂质 D: 负，电离受主杂质和电子
- 对于p型半导体形成的MIS结构，处于少子反型状态时，空间电荷层内的负电荷是 A: 电离的受主负电荷 B: 反型层中的电子 C: 电离的受主负电荷和反型层中的电子 D: 以上都不对