PN结锗管比硅管更容易发生热击穿。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
A
举一反三
内容
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PN结导通时，硅管正向压降为0.6~0.7V，锗管为V
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参数相同的情况下，硅PN结的雪崩击穿电压大于锗PN结的雪崩击穿电压。
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锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
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硅三极管发射结正向导通压降比锗管 ，硅管的温度稳定性比锗管
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硅管的导通电压比锗管的（ ），反向饱和电流比锗管的（ ）。