PN结锗管比硅管更容易发生热击穿。
对
举一反三
内容
- 0
参数相同的情况下，硅PN结的雪崩击穿电压大于锗PN结的雪崩击穿电压。
- 1
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
- 2
硅三极管发射结正向导通压降比锗管 ，硅管的温度稳定性比锗管
- 3
硅管的导通电压比锗管的（ ），反向饱和电流比锗管的（ ）。
- 4
锗管比硅管的温度稳定性