N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。
A: uGS大于UGS(th)并且uGD大于UGS(th)
B: uGS小于UGS(th)并且uGD大于UGS(th)
C: uGS大于UGS(th)并且uGD小于UGS(th)
D: uGS小于UGS(th)并且uGD小于UGS(th)
A: uGS大于UGS(th)并且uGD大于UGS(th)
B: uGS小于UGS(th)并且uGD大于UGS(th)
C: uGS大于UGS(th)并且uGD小于UGS(th)
D: uGS小于UGS(th)并且uGD小于UGS(th)
举一反三
- N沟道结型场效应管工作在可变电阻区的条件是（） A: uGS大于UGS(off)并且uGD小于UGS(off) B: uGS大于UGS(off)并且uGD大于UGS(off) C: uGS小于UGS(off)并且uGD大于UGS(off) D: uGS小于UGS(off)并且uGD小于
- N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是： A: UGS> UGS(th), UDS> UGS - UGS(th) B: UGS> UGS(th), UDS< UGS - UGS(th) C: UGS<UGS(th), UDS> UGS - UGS(th) D: UGS< UGS(th), UDS<UGS - UGS(th)
- 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是（） A: uGS大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th) C: uGS大于UGS(off) D: uGS小于
- 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: UGS大于UGS(th) B: UGS小于UGS(th) C: UGS大于UGS(off) D: UGS小于UGS(off)
- N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()(2) A: uGS>uGS(th),uGD> uGS(th) ; B: uGSGS(th),uGDGS(th) ; C: uGS>uGS(th),uGDGS(th) ; D: uGSGS(th),uGD>uGS(th) 。