N沟道结型场效应管工作在可变电阻区的条件是（） A: uGS大于UGS(off)并且uGD小于UGS(off) B: uGS大于UGS(off)并且uGD大于UGS(off) C: uGS小于UGS(off)并且uGD大于UGS(off) D: uGS小于UGS(off)并且uGD小于

N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: uGS大于UGS(th)并且uGD大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th)并且uGD大于UGS(th) C: uGS大于UGS(th)并且uGD小于UGS(th) D: uGS小于UGS(th)并且uGD小于UGS(th)

当uGD＝uGS(th)时，增强型NMOS管导电沟道出现预夹断。

场效应管工作在恒流区的条件是UGS大于UGS(off)并且UGD小于UGS(off)

FET控制端的电压是指 A: 栅漏电压uGD B: 漏源电压uDS C: 栅源电压uGS D: 以上皆否

下面两个图形为UGS一定的情况下，UDS对结型场效应管导电沟道的影响情况。下面描述正确的是（ ）。[img=639x617]1803bc94ba32bad.png[/img]和[img=654x585]1803bc94c4a0b42.png[/img] A: 左图表明，UDS为零时，结型场效应管d、s两端的耗尽层以及导电沟道，上下对称. B: 右图表明，UDS不为零时，UDS沿着结型场效应管内部的导电沟道电阻，自上而下分压，即导电沟道中，越靠近d端的点的电压越高，越靠近s端的点的电压越低，也即UGD的绝对值要大于UGS的绝对值。 C: 右图表明，UDS不为零时，越靠近d端的耗尽层越窄，越靠近s端的耗尽层越宽。 D: 右图表明，UDS不为零时，越靠近d端的导电沟道越窄，越靠近s端的导电沟道越宽，整个导电沟道形成楔形。