关于功率MOS器件,以下说法中正确的是:( )
举一反三
- 关于功率MOS器件,以下说法中正确的是:() A: 功率MOS器件也存在二次击穿现象。 B: 功率MOS器件不可能出现二次击穿。 C: 与功率BJT相比,功率MOS器件可承受高电压、大电流、开关速度快,适合高频工作。 D: 与功率BJT相比,功率MOS器件的输入阻抗极高。
- 以下关于MOS管的说法正确的是
- 以下关于MOS管的说法正确的是 A: MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电 B: MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电 C: MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电 D: MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电
- 关于MOS管，下列说法正确的是（ ）。 A: 根据导电沟道不同，MOS管可分N沟道和P沟道两种。 B: 根据导电原理不同，MOS管可分增强型和耗尽型两种。 C: MOS管是电流控制型器件。 D: MOS管是电压控制型器件。
- 以下关于理想MOS结构的说法中，正确的是（）。