关于功率MOS器件,以下说法中正确的是:()
A: 功率MOS器件也存在二次击穿现象。
B: 功率MOS器件不可能出现二次击穿。
C: 与功率BJT相比,功率MOS器件可承受高电压、大电流、开关速度快,适合高频工作。
D: 与功率BJT相比,功率MOS器件的输入阻抗极高。
A: 功率MOS器件也存在二次击穿现象。
B: 功率MOS器件不可能出现二次击穿。
C: 与功率BJT相比,功率MOS器件可承受高电压、大电流、开关速度快,适合高频工作。
D: 与功率BJT相比,功率MOS器件的输入阻抗极高。
