关于BJT的击穿问题,以下说法中正确的是:( )
举一反三
- 关于BJT的击穿问题,以下说法中正确的是:() A: BJT的一次击穿具有可逆性,二次击穿不可逆。 B: BJT的一次击穿不可逆,二次击穿具有可逆性。 C: BJT的一次击穿和二次击穿均具有可逆性。 D: BJT的一次击穿和二次击穿均不可逆。
- 关于功率MOS器件,以下说法中正确的是:() A: 功率MOS器件也存在二次击穿现象。 B: 功率MOS器件不可能出现二次击穿。 C: 与功率BJT相比,功率MOS器件可承受高电压、大电流、开关速度快,适合高频工作。 D: 与功率BJT相比,功率MOS器件的输入阻抗极高。
- BJT集电结发生击穿的主要类型是:( )
- 关于温度对BJT参数的影响，下面说法正确的是
- 中国大学MOOC: 关于PN结的反向击穿特性，以下说法正确的有