在一块完整的晶片上,通过一定的掺杂工艺,一边为P型半导体,另一边为N型半导体,则在它们的交界处形成一个具有特殊物理性能的薄层,称为
举一反三
- 在一块本征半导体上,通过特殊的加工工艺使其一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体,P型半导体和N为型半导体的交界处所形成的很薄的空间电荷区,就是PN结。
- 在一块完整的本征硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,在这两种杂质半导体的交界面附近就会形成一个具有特殊性质的薄层(正离子或负离子的区域),这个特殊的薄层就是()
- 在一块完整的半导体的晶片上（通常是硅或锗），通过掺杂工艺,一边掺入3价元素形成N型半导体,另一边掺入5价元素形成形成P型半导体,那么在这种半导体的交界面附近就形成了PN结。（）
- 在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
- 在同一块半导体基片上，通过不同的掺杂工艺制成P型半导体和N型半导体，在它们的交界面处会形成特殊物理层，称为（ ）。A.PN结