本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好．
举一反三
- 本征半导体有两种载流子参与导电,所以半导体比导体导电性能好。
- 半导体是电子和空穴两种载流子参与导电，而金属导体只有自由电子参与导电。
- 下述说法中，正确的是? N;型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去，大大提高了半导体导电性能。;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;|N 型半导体的导电性能优于P型半导体，因为N 型半导体是负电子导电，P型半导体是正离子导电。;|P型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。|本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电，而杂质半导体(N 型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好。;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;
- （单选题）下述说法中，正确的是 A: 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电，而杂质半导体(N 型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好。 B: N 型半导体的导电性能优于P型半导体，因为N 型半导体是负电子导电，P型半导体是正离子导电。 C: N 型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去，大大提高了半导体导电性能。 D: P型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。
- 以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 A: 纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B: 实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。 C: 本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D: 本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。 E: n型半导体依靠导带电子导电。 F: p型半导体依靠价带空穴导电。 G: 本征半导体中载流子由本征激发产生。 H: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I: 施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J: 受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。 K: 杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。 L: 杂质半导体中也存在本征激发的过程。