以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是
A: 纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。
B: 实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。
C: 本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。
D: 本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。
E: n型半导体依靠导带电子导电。
F: p型半导体依靠价带空穴导电。
G: 本征半导体中载流子由本征激发产生。
H: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。
I: 施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。
J: 受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。
K: 杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。
L: 杂质半导体中也存在本征激发的过程。
A: 纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。
B: 实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。
C: 本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。
D: 本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。
E: n型半导体依靠导带电子导电。
F: p型半导体依靠价带空穴导电。
G: 本征半导体中载流子由本征激发产生。
H: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。
I: 施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。
J: 受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。
K: 杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。
L: 杂质半导体中也存在本征激发的过程。
举一反三
- 以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 A: 纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B: 实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。 C: 本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D: 本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。 E: n型半导体依靠导带电子导电。 F: p型半导体依靠价带空穴导电。 G: 本征半导体中载流子由本征激发产生。 H: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I: 施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J: 受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。
- 以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是? 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。|施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。|受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。|实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。
- 实际使用的半导体都是在本征法导体中掺入一定的杂质，其目的是改善半导体的导电性能。
- 关于杂质半导体，下列描述正确的是（ ） A: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； B: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； C: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子； D: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。
- 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好．