MOS半导体存储器中,____可大幅度提高集成度,但由于____操作,外围电路复杂,速度慢。()
A: DRAM,读写
B: SRAM,读写
C: DRAM,刷新
D: SRAM,刷新
A: DRAM,读写
B: SRAM,读写
C: DRAM,刷新
D: SRAM,刷新
举一反三
- 用MOS器件构成的RAM可分为静态读写存储器(SRAM)和动态读写存储器(DRAM)。SRAM的存储元由____构成,DRAM的存储元由____构成,需要不断地刷新。
- 下列有关 SRAM 和 DRAM 的叙述中,不正确的是① SRAM 和 DRAM 的存储机理相同,都采用触发器记忆② DRAM 的集成度不如 SRAM 的集成度高③ SRAM 不需要刷新,DRAM 需定期刷新④ SRAM 和 DRAM 都是随机读写存储器 A: 仅①② B: 仅②3④ C: 仅③④ D: 仅②③
- 下列关于DRAM和SRAM的说法中，错误的是______。 Ⅰ．SRAM不是易失性存储器，而DRAM是易失性存储器 Ⅱ．DRAM比SRAM集成度更高，因此读写速度也更快 Ⅲ．主存只能由DRAM构成，而高速缓存只能由SRAM构成 Ⅳ．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，因此功耗较高 A: Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ B: Ⅰ、Ⅲ、Ⅳ C: Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ D: Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ
- SRAM和DRAM相比，具有的特点是（ ）。 A: 读写速度慢，集成度高 B: 读写速度慢，集成度低 C: 读写速度快，集成度高 D: 读写速度快，集成度低
- 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．DRAM比SRAM集成度高Ⅱ．DRAM比SRAM成本高Ⅲ．DRAM比SRAM速度快Ⅳ．DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新其中哪两个叙述是正确的（） A: Ⅰ和Ⅱ B: Ⅱ和Ⅲ C: Ⅲ和Ⅳ D: Ⅰ和Ⅳ