MOS半导体存储器中,____可大幅度提高集成度,但由于____操作,外围电路复杂,速度慢。()
A: DRAM,读写
B: SRAM,读写
C: DRAM,刷新
D: SRAM,刷新
A: DRAM,读写
B: SRAM,读写
C: DRAM,刷新
D: SRAM,刷新
C
举一反三
- 用MOS器件构成的RAM可分为静态读写存储器(SRAM)和动态读写存储器(DRAM)。SRAM的存储元由____构成,DRAM的存储元由____构成,需要不断地刷新。
- 下列有关 SRAM 和 DRAM 的叙述中,不正确的是① SRAM 和 DRAM 的存储机理相同,都采用触发器记忆② DRAM 的集成度不如 SRAM 的集成度高③ SRAM 不需要刷新,DRAM 需定期刷新④ SRAM 和 DRAM 都是随机读写存储器 A: 仅①② B: 仅②3④ C: 仅③④ D: 仅②③
- 下列关于DRAM和SRAM的说法中，错误的是______。 Ⅰ．SRAM不是易失性存储器，而DRAM是易失性存储器 Ⅱ．DRAM比SRAM集成度更高，因此读写速度也更快 Ⅲ．主存只能由DRAM构成，而高速缓存只能由SRAM构成 Ⅳ．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，因此功耗较高 A: Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ B: Ⅰ、Ⅲ、Ⅳ C: Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ D: Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ
- SRAM和DRAM相比，具有的特点是（ ）。 A: 读写速度慢，集成度高 B: 读写速度慢，集成度低 C: 读写速度快，集成度高 D: 读写速度快，集成度低
- 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．DRAM比SRAM集成度高Ⅱ．DRAM比SRAM成本高Ⅲ．DRAM比SRAM速度快Ⅳ．DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新其中哪两个叙述是正确的（） A: Ⅰ和Ⅱ B: Ⅱ和Ⅲ C: Ⅲ和Ⅳ D: Ⅰ和Ⅳ
内容
- 0
【多选题】下列关于SRAM和DRAM的描述中,正确的是: A. SRAM和DRAM都是半导体存储器。 B. SRAM的存取速度比DRAM快。 C. DRAM的存取速度比SRAM快。 D. SRAM需要刷新
- 1
【单选题】需要定期刷新的半导体存储器为(),其刷新方式包括集中式刷新、()刷新及异步刷新。 A. SRAM，分散 B. DRAM，分散 C. SRAM，同步 D. DRAM,同步
- 2
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，错误的是()。 A: Ⅰ和Ⅱ B: Ⅲ和Ⅳ C: Ⅰ和Ⅳ D: Ⅱ和Ⅲ
- 3
DRAM是计算机系统中使用最多的一种存储器，DRAM与SRAM相比具有（）特点。 A: 集成度高 B: 电路复杂 C: 存取速度快 D: 不需要刷新
- 4
SRAM和DRAM均为RAM存储器，二者的容量与读写速度为（） A: SRAM有极高的读写速度及大容量 B: DRAM有极高的读写速度及大容量 C: SRAM有极高的读写速度，DRAM有更大的容量 D: DRAM有极高的读写速度，SRAM有更大的容量