• 2022-06-06
    二极管是P型半导体和N型半导体结合在一起,在交界面()。
    A: PN结
    B: 耗尽层
    C: 连接层
    D: 阻挡层
    E: 耗尽层
    F: 扩散层
  • A,B,D

    内容

    • 0

      下面针对MIS电容中的深耗尽状态,( )说法是不正确的。qq A: 深耗尽时耗尽层宽度远大于强反型时的最大耗尽层宽度 B: 深耗尽是一种非平衡态 C: 在n型半导体的MIS中,金属和半导体之间加高频正弦波形成的正电压时,由于空间电荷层的少子产生速率赶不上电压变化,反型层来不及建立 D: 深耗尽层过渡到热平衡反型层时间大约在1秒~100秒之间

    • 1

      在MIS结构中,当电场垂直金属层指向半导体层时,下列描述中错误的是( ) A: 对于N型半导体,在表面层形成电子的积累层。 B: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的积累层。 C: 对于P型半导体,在表面层可能形成由电子组成的反型层。 D: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的耗尽层。

    • 2

      P型半导体和N型半导体之间,叫空间电荷区,又叫耗尽层,也叫PN结。

    • 3

      【单选题】晶闸管具有三个PN结三个引出电极的四层半导体结构,以下叙述错误的是() (2.0分) A. 阳极由P层半导体引出 B. 阴极由N层半导体引出 C. 门极由N层半导体引出 D. 门极由P层半导体引出

    • 4

      如果计入表面态的影响,当表面态为施主态,且态密度足够大时,关于异质结能带结构的描述,正确的是? A: 此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定,与功函数等没有关系。 B: 对于n型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层。 C: 对于p型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层。 D: 对于n型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层。 E: 对于p型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层。