二极管是P型半导体和N型半导体结合在一起，在交界面（）。
A: PN结
B: 耗尽层
C: 连接层
D: 阻挡层
E: 耗尽层
F: 扩散层
A: PN结
B: 耗尽层
C: 连接层
D: 阻挡层
E: 耗尽层
F: 扩散层
A,B,D
举一反三
- 二极管是P型半导体和N型半导体结合在一起，在交界面（）。 A: APN结 B: B耗尽层 C: C连接层 D: D阻挡层 E: E耗尽层 F: F扩散层
- 当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，该区域可称为( )。 A: 阻挡层 B: 空间电荷区 C: 耗尽层 D: 突变层
- 当P型半导体和N型半导体相接触时,在P型和N型半导体交界处,形成一个区域,下列的哪种名称不能描述该区域? A: 阻挡层 B: 耗尽层 C: 空间电荷区 D: 突变层
- 当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域？ A: 阻挡层 B: 耗尽层 C: 空间电荷区 D: 突变层
- 当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域？ A: 阻挡层 B: 耗尽层 C: 空间电荷区 D: 突变层
内容
- 0
下面针对MIS电容中的深耗尽状态,( )说法是不正确的。qq A: 深耗尽时耗尽层宽度远大于强反型时的最大耗尽层宽度 B: 深耗尽是一种非平衡态 C: 在n型半导体的MIS中,金属和半导体之间加高频正弦波形成的正电压时,由于空间电荷层的少子产生速率赶不上电压变化,反型层来不及建立 D: 深耗尽层过渡到热平衡反型层时间大约在1秒~100秒之间
- 1
在MIS结构中,当电场垂直金属层指向半导体层时,下列描述中错误的是( ) A: 对于N型半导体,在表面层形成电子的积累层。 B: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的积累层。 C: 对于P型半导体,在表面层可能形成由电子组成的反型层。 D: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的耗尽层。
- 2
P型半导体和N型半导体之间，叫空间电荷区，又叫耗尽层，也叫PN结。
- 3
【单选题】晶闸管具有三个PN结三个引出电极的四层半导体结构,以下叙述错误的是() (2.0分) A. 阳极由P层半导体引出 B. 阴极由N层半导体引出 C. 门极由N层半导体引出 D. 门极由P层半导体引出
- 4
如果计入表面态的影响，当表面态为施主态，且态密度足够大时，关于异质结能带结构的描述，正确的是？ A: 此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系。 B: 对于n型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层。 C: 对于p型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层。 D: 对于n型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层。 E: 对于p型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层。