在MIS结构中，如果耗尽层宽度大于强反型的最大耗尽层宽度，则其处于下列哪种状态 A: 耗尽状态 B: 深耗尽状态 C: 弱反型 D: 强反型
在MIS结构中，如果耗尽层宽度大于强反型的最大耗尽层宽度，则其处于下列哪种状态 A: 耗尽状态 B: 深耗尽状态 C: 弱反型 D: 强反型
下面针对MIS电容中的深耗尽状态,( )说法是不正确的。qq A: 深耗尽时耗尽层宽度远大于强反型时的最大耗尽层宽度 B: 深耗尽是一种非平衡态 C: 在n型半导体的MIS中,金属和半导体之间加高频正弦波形成的正电压时,由于空间电荷层的少子产生速率赶不上电压变化,反型层来不及建立 D: 深耗尽层过渡到热平衡反型层时间大约在1秒~100秒之间
下面针对MIS电容中的深耗尽状态,( )说法是不正确的。qq A: 深耗尽时耗尽层宽度远大于强反型时的最大耗尽层宽度 B: 深耗尽是一种非平衡态 C: 在n型半导体的MIS中,金属和半导体之间加高频正弦波形成的正电压时,由于空间电荷层的少子产生速率赶不上电压变化,反型层来不及建立 D: 深耗尽层过渡到热平衡反型层时间大约在1秒~100秒之间
MIS空间电荷层也可以叫耗尽层。
MIS空间电荷层也可以叫耗尽层。
二极管是P型半导体和N型半导体结合在一起，在交界面（）。 A: PN结 B: 耗尽层 C: 连接层 D: 阻挡层 E: 耗尽层 F: 扩散层
二极管是P型半导体和N型半导体结合在一起，在交界面（）。 A: PN结 B: 耗尽层 C: 连接层 D: 阻挡层 E: 耗尽层 F: 扩散层
二极管是P型半导体和N型半导体结合在一起，在交界面（）。 A: APN结 B: B耗尽层 C: C连接层 D: D阻挡层 E: E耗尽层 F: F扩散层
二极管是P型半导体和N型半导体结合在一起，在交界面（）。 A: APN结 B: B耗尽层 C: C连接层 D: D阻挡层 E: E耗尽层 F: F扩散层
对于同型异质结的能带结构，以下描述正确的是？ A: 两者的界面处 一边形成了积累层，一边则形成耗尽层 B: 界面两边形成的都是耗尽层 C: 界面两边形成的都是积累层 D: 界面两边形成的都是反型层
对于同型异质结的能带结构，以下描述正确的是？ A: 两者的界面处 一边形成了积累层，一边则形成耗尽层 B: 界面两边形成的都是耗尽层 C: 界面两边形成的都是积累层 D: 界面两边形成的都是反型层
弱反型区的空间电荷层厚度求解是按照耗尽层近似得到的，此时的空间电荷层电容也可以这样处理。
弱反型区的空间电荷层厚度求解是按照耗尽层近似得到的，此时的空间电荷层电容也可以这样处理。
耗尽层宽度W
耗尽层宽度W
当PN结外加反向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为 A: 扩散电流大于漂移电流、耗尽层变宽 B: 扩散电流小于漂移电流、耗尽层变宽 C: 扩散电流大于漂移电流、耗尽层变窄 D: 扩散电流小于漂移电流、耗尽层变窄
当PN结外加反向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为 A: 扩散电流大于漂移电流、耗尽层变宽 B: 扩散电流小于漂移电流、耗尽层变宽 C: 扩散电流大于漂移电流、耗尽层变窄 D: 扩散电流小于漂移电流、耗尽层变窄
当PN结外加正向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为（ ） A: 扩散电流大于漂移电流、耗尽层变宽 B: 扩散电流小于漂移电流、耗尽层变宽 C: 扩散电流大于漂移电流、耗尽层变窄 D: 扩散电流小于漂移电流、耗尽层变窄
当PN结外加正向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为（ ） A: 扩散电流大于漂移电流、耗尽层变宽 B: 扩散电流小于漂移电流、耗尽层变宽 C: 扩散电流大于漂移电流、耗尽层变窄 D: 扩散电流小于漂移电流、耗尽层变窄